Rabu kemarin, Samsung Electronic dan Toshiba menyatakan rencananya untuk mendorong spesifikasi baru dengan mempercepat aliran data pada memory NAND flash, yang dapat digunakan untuk penyimpanan data pada iPad dan iPhone hingga SSD (solid state drive) yang digunakan pada PC maupun data center.
Keduanya merupakan produsen chip memory NAND flash terbesar dunia dan berkomitmen mengembangkan DDR (double Data Rate) memory NAND flash dengan interface 400 megabit perdetik, lebih cepat dari spesifikasi teknologi sebelumnya yang hanya 133Mbps dan sepuluh kali lebih cepat dari interface chip NAND flash tradisional.
Teknologi yang disebut dengan DDR toggle-mode akan menjadi pesaing dari ONFI (Open NAND Flash Interface) yang didukung Intel, Micron Technologi dan Sandisk. Kedua teknologi ditujukan untuk produk-produk berkinerja tinggi seperti SSD yang nantinya diharapkan sebagai pengganti dari hardisk. ONFI menawarkan kecepatan 166Mbps dan 200Mbps, menurut informasi dari website ONFI.
Menurut Gregory Wong CEO perusahaan riset industri Forward Insight, tingkat adopsi kedua teknologi dipengaruhi oleh supply. Sedangkan, samsung dan Toshiba menjadi pemasok 70% memory NAND flash di pasaran, sehingga mereka dapat memanfaatkan posisi tersebut untuk meningkatkan adopsi terhadap DDR toggle-mode.
Perusahaan menyatakan, harapan mereka setelah smartphone adalah PC Tablet dan SSD untuk adopsi berikutnya, agar dapat meningkatkan permintaan yang lebih luas akan chip NAND performa tinggi. Sedangkan, upgrade berkelanjutan pada kecepatan diarahkan pada diciptakannya produk-produk baru berbasis memory NAND flash.
Bulan lalu Samsung memperkenalkan salah satu dari SSD pertama yang menggunakan memory NAND flash DDR toggle-mode berkapasitas 512GB, dengan kecepatan read maksiumum 250 MBps dan kecepatan sequential write 220MBps. (fahrur)